門村 新吾 | ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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概要
関連著者
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門村 新吾
ソニー
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門村 新吾
ソニー(株)
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門村 新吾
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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山本 亮
ソニー(株)
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー株式会社
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王 俊利
ソニー(株)
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平野 智之
ソニー(株)
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山口 晋平
ソニー(株)
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田井 香織
ソニー(株)
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長濱 嘉彦
ソニー(株)
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萩本 賢哉
ソニー(株)
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神田 さおり
ソニー(株)
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長野 香
ソニー(株)
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田川 幸雄
ソニー(株)
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岩元 勇人
ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー(株)
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萩本 賢哉
ソニー株式会社
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岩元 勇人
ソニー株式会社
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館下 八州志
ソニー(株)
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安藤 崇志
ソニー(株)
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山本 雄一
ソニー(株)
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舘下 八州志
ソニー(株)
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宮波 勇樹
ソニー(株)
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釘宮 克尚
ソニー(株)
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若林 整
ソニー(株)
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塚本 雅則
ソニー(株)
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舘下 八州志
ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
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加藤 孝義
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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檜山 進
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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Wang J.
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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山中 真由美
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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寺内 佐苗
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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館下 八州志
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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斉藤 正樹
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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藤田 繁
ソニー株式会社
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黛 哲
ソニー(株)
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山川 真弥
ソニー(株)
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中田 征志
ソニー(株)
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押山 到
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田中 和樹
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小川 浩二
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藤田 繁
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ソニー
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川島 淳志
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超lsi研究所
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青山 純一
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宮本 孝章
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
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川島 淳志
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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千葉 安浩
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
著作論文
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ECRプラズマCVD法によるTi製膜とコンタクトへの適用
- ECRプラズマCVD法によるTiN/Ti膜の形成とコンタクトへの適用