岩元 勇人 | ソニー(株)
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概要
関連著者
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岩元 勇人
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門村 新吾
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長島 直樹
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萩本 賢哉
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NEC(株)システムデバイス研究所
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ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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斉藤 正樹
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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ソニー株式会社
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著作論文
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))