生田 哲也 | ソニー(株)

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• 山本 亮

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• 釘宮 克尚

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• 神田 さおり

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• 生田 哲也

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• 大地 朋和

  ソニー(株)

• 柳田 将志

  ソニーセミコンダクタタ九州株式会社IS開発部門

• 斎藤 正樹

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• 門村 新吾

  ソニー

• 若林 整

  NEC

• 若林 整

  NEC(株)システムデバイス研究所

• 若林 整

  NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所

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  ソニー株式会社

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• 小田 達治

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• 小田 達治

  ソニー株式会社 セミコンダクタカンパ二ー 超lsi研究所

• 館下 八州志

  ソニー(株)

• 舘下 八州志

  ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部

• 門村 新吾

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所

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著作論文

• [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
• (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)
• サイリスタのSRAMへの応用(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)

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