藤田 繁 | ソニー株式会社
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概要
関連著者
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藤田 繁
ソニー株式会社
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ソニー(株)
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ソニー株式会社
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(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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渡辺 竜二
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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菰田 泰生
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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英保 亜弓
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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相川 恒
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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山口 理恵
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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森本 類
ソニー株式会社
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大島 亮介
ソニー株式会社
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横山 孝司
ソニー株式会社
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鉢峰 清太
ソニー株式会社
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十河 康則
ソニー株式会社
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志野 誠也
ソニー株式会社
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金井 貞夫
ソニー株式会社
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高橋 誠司
ソニー株式会社
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前田 英訓
ソニー株式会社
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岩田 敏彦
ソニー株式会社
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竹川 陽一
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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大石 要
(株)東芝セミコンダクタ社システムLSI第一事業部システムLSIデバイス技術開発部
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東郷 光洋
NECエレクトロニクス株式会社
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深作 克彦
ソニー株式会社
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高須 靖夫
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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猪熊 英幹
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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松尾 浩二
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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佐藤 力
(株)東芝セミコンダクタ社プロセス技術開発センター
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中澤 正志
ソニー株式会社
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片桐 孝浩
ソニー株式会社
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中澤 圭一
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ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
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池田 昌弘
Necエレクトロニクス
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ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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相川 恒
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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佐貫 朋也
株式会社東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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岩本 俊幸
Nec Electronics Corporation
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木村 泰己
(株)東芝セミコンダクタ社システムlsi第一事業部システムlsiデバイス技術開発部
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三本木 省二
東芝
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須之内 一正
(株)東芝セミコンダクター社
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松岡 史倫
(株)東芝セミコンダクター社システムlsi事業部
-
岩本 敏幸
NECエレクトロニクス先端デバイス開発事業部
-
松岡 史倫
東芝セミコンダクター社システムLSI事業部
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滝沢 正明
ソニーセミコンダクタカンパニー
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内貴 唯八
ソニーセミコンダクタカンパニー
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眞野 三千雄
ソニーセミコンダクタカンパニー
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木村 忠之
ソニーセミコンダクタカンパニー
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市川 勉
ソニーセミコンダクタカンパニー
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塚本 雅則
ソニーセミコンダクタカンパニー
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藤田 繁
ソニーセミコンダクタカンパニー
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長山 哲洽
ソニーセミコンダクタカンパニー
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佐々木 正義
ソニーセミコンダクタカンパニー
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岩本 敏幸
NEC シリコンシステム研究所
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市川 勉
ソニー
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佐々木 正義
ソニー(株)セミコンダクターネツトワークカンパニー テクノロジー開発本部
著作論文
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 0.25μmSRAMセンターワードライン型セル