山本 亮 | ソニー(株)
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概要
関連著者
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山本 亮
ソニー(株)
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神田 さおり
ソニー(株)
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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門村 新吾
ソニー
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長島 直樹
ソニー株式会社
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王 俊利
ソニー(株)
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平野 智之
ソニー(株)
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山口 晋平
ソニー(株)
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田井 香織
ソニー(株)
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長濱 嘉彦
ソニー(株)
著作論文
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)
- サイリスタのSRAMへの応用(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)
- 低Noise/高飽和電荷量CMOS Image Sensorの開発(固体撮像技術および一般)