バルク型サイリスタを用いた高速動作SRAMセルの開発(新メモリ技術とシステムLSI)

概要

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65nm世代以降、最も一般的に用いら手いる6T-SRAMは多くの問題に直面している。そこで、我々は6T-SRAMに代わるSRAMを検討している。今回、バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM(Static Random Access Memory)セルに応用することを試みた。このBulk Thyristor-RAM(BT-RAM)は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。さらに100psの高速書き込み/読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が10^8以上、スタンバイ電流が0.5nA/cell以下と非常に良好な特性を示した。また、アノード領域に選択エピタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも30F^2(Fはデサインルール)と従来型の6T-SRAMの約1/4のサイズになっている。このようにBT-RAMは現在SRAMの直面している問題を解決し、65nm世代以降に有望なデバイスであることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-04-05