門村 新吾 | ソニー(株)
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概要
関連著者
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門村 新吾
ソニー
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門村 新吾
ソニー(株)
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門村 新吾
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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山本 亮
ソニー(株)
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斎藤 正樹
ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー株式会社
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王 俊利
ソニー(株)
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平野 智之
ソニー(株)
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山口 晋平
ソニー(株)
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田井 香織
ソニー(株)
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長濱 嘉彦
ソニー(株)
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萩本 賢哉
ソニー(株)
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神田 さおり
ソニー(株)
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長野 香
ソニー(株)
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田川 幸雄
ソニー(株)
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岩元 勇人
ソニー(株)
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長島 直樹
ソニー(株)
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萩本 賢哉
ソニー株式会社
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岩元 勇人
ソニー株式会社
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館下 八州志
ソニー(株)
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安藤 崇志
ソニー(株)
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若林 整
NEC
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若林 整
NEC(株)システムデバイス研究所
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若林 整
NECラボラトリーズシステムデバイス・基礎研究本部シリコンシステム研究所
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山本 雄一
ソニー(株)
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舘下 八州志
ソニー(株)
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宮波 勇樹
ソニー(株)
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釘宮 克尚
ソニー(株)
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若林 整
ソニー(株)
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塚本 雅則
ソニー(株)
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青山 純一
ソニー
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舘下 八州志
ソニー(株) 半導体事業グループテクノロジー開発本部
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青山 純一
超lsi研究所
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青山 純一
ソニー(株)
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門村 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
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長谷川 利昭
ソニー(株)
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加藤 孝義
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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檜山 進
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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Wang J.
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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山中 真由美
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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寺内 佐苗
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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館下 八州志
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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斉藤 正樹
ソニー(株)半導体事業グループ セミコンダクタテクノロジー開発本部
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藤田 繁
ソニー株式会社
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黛 哲
ソニー(株)
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山川 真弥
ソニー(株)
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中田 征志
ソニー(株)
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ソニー(株)
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田中 和樹
ソニー(株)
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小川 浩二
ソニー(株)
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生田 哲也
ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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松本 良輔
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藤田 繁
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深沢 正永
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川島 淳志
ソニー(株)
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ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所
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川島 淳志
ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所
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深沢 正永
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
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辰巳 哲也
ソニー(株)半導体事業本部セミコンダクターテクノロジー開発部門
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辰巳 哲也
ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー株式会社
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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ソニー(株)
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榎本 容幸
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池田 浩一
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ソニー(株)SSNCセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
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ソニー(株)
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千葉 安浩
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高橋 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
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徳永 和彦
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
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山村 育弘
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宮田 幸児
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鬼頭 英至
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田口 充
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
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駒井 尚紀
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
著作論文
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- 有機低誘電体膜を用いた多層銅配線技術
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Cu-Ag合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
- フッ素樹脂による低誘電率化の検討
- 低誘電率膜を用いた層間絶縁膜構造における容量シミュレーション
- ECRプラズマCVD法によるTi製膜とコンタクトへの適用
- ECRプラズマCVD法によるTiN/Ti膜の形成とコンタクトへの適用