青山 純一 | 超lsi研究所

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• 青山 純一

  ソニー

• 青山 純一

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• 青山 純一

  ソニー(株)

• 門村 新吾

  ソニー

• 門村 新吾

  ソニー(株)

• 長谷川 利昭

  ソニー(株)

• 文 範基

  ソニー(株)、コアテクノロジー開発本部

• 門村 新吾

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所

• 川島 淳志

  ソニー(株)

• 宮本 孝章

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所

• 川島 淳志

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超lsi研究所

• 門村 新吾

  ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門

• 磯辺 千春

  ソニー(株)、コアテクノロジー開発本部

• 深沢 正永

  ソニー(株)

• 小林 岳史

  ソニー(株)

• 千葉 安浩

  ソニー(株)セミコンダクタカンパニー 超LSI研究所

• 深沢 正永

  ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部

• 磯辺 千春

  中央研究所

• 香取 健二

  中央研究所

• 磯辺 千春

  ソニー(株)

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著作論文

• フッ素樹脂による低誘電率化の検討
• 低誘電率膜を用いた層間絶縁膜構造における容量シミュレーション
• 低温プロセスによる高絶縁・高容量Ta_2O_5キャパシタ膜の作製 : Ta_2O_5キャパシタ膜の電気的特性改善
• 低温オゾンアニールによるTa_2O_5膜の絶縁性改善
• ECRプラズマCVD法によるTi製膜とコンタクトへの適用
• ECRプラズマCVD法によるTiN/Ti膜の形成とコンタクトへの適用

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