低温プロセスによる高絶縁・高容量Ta_2O_5キャパシタ膜の作製 : Ta_2O_5キャパシタ膜の電気的特性改善

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概要

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高絶縁Ta_2O_5キャパシタ膜を作製するために、大気圧下・低温でO_3アニールを行った結果、絶縁性を向上させるのに充分効果があり、そのメカニズムはTa_2O_5膜中の酸素欠損や不純物除去によるものであることが分かった。一方、O_3アニールにより得られたアモルファスTa_2O_5膜は多結晶δ-Ta_2O_5膜より良好な絶縁性を見せており、粒界電流のないアモルファス膜が有利であることが分かった。また、MIM型Ta_2O_5キャパシタ膜を作製する際に耐酸化性の強いRuは下部電極として有望であり、本研究の高絶縁・高誘電Ta_2O_5膜は1Gbit級メモリ容量を持つ混載DRAMキャパシタへの適応が期待できる。
1998-03-13

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