プラズマMOCVD法により作製された低電圧動作用SrBi_2Ta_2O_9キャパシタ

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概要

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プラズマMOCVD法を用いて強誘電SrBi_2Ta_2O_9(SBT)薄膜キャパシタの作製を行った。75nmのSBTキャパシタは抗電圧が小さく飽和特性の優れたヒステリシス特性を持ち、モバイルデバイスへの適応可能性を示した。その分極値、抗電圧、動作電圧は、それぞれ、13.4μC/cm^2、0.42V、1.4Vであった。一方、キャパシタ面積を5f^2(f:minimum feature size)と仮定した場合、1.5V動作電圧での信号量導出により64メガビット級FeRAMsへの適応可能性が見積もられた。
2000-06-22

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