Cu-Ag合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Cu-1wt%Ag合金をシード層に用いることによりCu配線における信頼性の著しい改善を得た。広い下層配線上の接合ビア部における、バリアメタル成膜前のデガス加熱処理によるCu extrusionを起因としたボイド(Stress Induced Voiding)の発生がCu配線中にAgを添加することにより抑制されることを確認した。これはAg添加によりCu膜の軟化温度が上昇し、加熱処理によるCu extrusion発生に対する耐性が向上したためである。この軟化温度の上昇はCu-Ag合金膜の熱-ストレスヒステリシス曲線により示された。また、配線抵抗は純Cu配線と比較して3%程度の上昇に止まり、その他の電気的特性においても純Cu膜と同等であった。以上より、Cu-Ag合金は、より高温でのデガス処理が必要とされる、ポーラスlow-k膜が適用されるであろう45nmノード以降のCu配線の信頼性改善のために有効であるといえる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-01-24
著者
-
門村 新吾
ソニー
-
高橋 新吾
ソニー(株)
-
榎本 容幸
ソニー株式会社
-
門村 新吾
ソニー(株)
-
榎本 容幸
ソニー(株)
-
磯林 厚伸
ソニー(株)SSNCセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
-
山田 博
ソニーセミコンダクタ九州(株)LSI第一生産部門第二デバイス開発部
-
高橋 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
-
門村 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
関連論文
- 多層銅配線とハイブリッドLow-k構造(porous-PAr/porous-SiOC(k=2.3/2.3)を用いた密着性の研究と密着性エネルギーの改善(配線・実装技術と関連材料技術)
- RIEプラズマ耐性の持つ、ポーラスPE-CVD SiOC膜(k
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術における low-k 絶縁膜技術
- 130, 90, 65nm及びそれ以降の多層配線技術におけるlow-k絶縁膜技術
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- TiバリアメタルによるCu配線信頼性向上
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- 有機低誘電体膜を用いた多層銅配線技術
- 吸湿によるヴィア不良のメカニズム及び45nm世代多層配線デザインへの影響(低誘電率層間膜,配線材料及び一般)
- 45nm node 向け塗布ポーラス low-k 膜の材料設計
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- Cu-Ag合金シードを用いたCu配線の信頼性改善
- ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD-2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
- ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
- ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
- フッ素樹脂による低誘電率化の検討
- 低誘電率膜を用いた層間絶縁膜構造における容量シミュレーション
- ECRプラズマCVD法によるTi製膜とコンタクトへの適用
- ECRプラズマCVD法によるTiN/Ti膜の形成とコンタクトへの適用