ED2000-136 / SDM2000-118 / ICD-2000-72 低誘電率膜を用いたCuデュアルダマシン配線の形成技術
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概要
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次世代の配線技術として期待される有機低誘電率絶縁膜(FLARE^<TM>;K=2.8), およびMSQ(K=2.7)をデュアルダマシンプロセスに適用し, 銅の多層配線を形成した。新規デュアルハードマスクプロセスを用いて有機低誘電率膜で問題となる酸素プラズマ耐性を解決し、ハードマスクをSiO_2からMSQに置き換えることで、さらなる低誘電率化を達成した。今回作製したFLARE^<TM>、MSQを絶縁膜に用いたCu配線は、SiO_2を絶縁膜に用いたCu配線と比較しても、コンタクト抵抗、リーク電流などの電気特性が劣化なく、リングオシレータの配線遅延で、Al/SiO2配線に比べて33%高速化することを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-08-18
著者
-
門村 新吾
ソニー
-
長谷川 利昭
ソニー(株)
-
長谷川 利昭
ソニー株式会社 半導体事業グループ
-
山村 育弘
ソニー株式会社
-
池田 浩一
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
徳永 和彦
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
深沢 正永
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
鬼頭 英至
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
宮田 幸児
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
駒井 尚紀
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
田口 充
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
平野 信介
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
辰巳 徹也
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
門村 新吾
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
-
平野 信介
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
辰巳 徹也
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
徳永 和彦
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
山村 育弘
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
深沢 正永
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
門村 新吾
ソニー(株)ssncセミコンダクタテクノロジー開発本部プロセスプラットフォーム部門
-
宮田 幸児
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
鬼頭 英至
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
田口 充
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
駒井 尚紀
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーlsi事業開発本部
-
徳永 和彦
ソニー株式会社 コアデバイス開発本部
-
門村 新吾
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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