0.18μmMRAMをビークルとしたMRAM大容量化の検討(新型不揮発性メモリ)

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概要

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大容量MRAMを実現するためのプロセス技術として、MTJ素子のRIE加工技術、セル縮小に必要なセルフ・アライン・プロセス、書き込み電流低減に有効なClad配線形成と層間薄膜化プロセスを開発した。スイッチング特性バラツキ低減と読出し0/1分離幅の改善検討を行い、スイッチング特性はMTJの形状に依存し、"サターン型形状"がバラツキ低減に有効であり、アステロイド方式の書込み動作領域を拡大できることが分かった。最適MTJパターンニングとプロセス改善により、1Mbitのテストチップにおいて、0/1分離幅21.4σを実現した。また、トグル方式のMRAM[1]も試作し特性評価した結果、数nsの高速書き込みが実現できることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-03-04

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