Self-Heating効果を考慮したSOI CMOS SPICEパラメータ抽出とシミュレーション (<特集>「VLSI一般」)
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概要
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SHE(Self-Healing Effect)を考慮したSPICEパラメータ抽出方法の提案。この方法においては、SPICEパラメータ抽出に先立って、DC IV測定値に対し、熱抵抗測定値から見積もったSHE電流ロス分を補償する。従って、SPICEパラメータはSHEの影響を受けない。0.18μmプロセスのPD SOIの評価結果との比較により、dc, ac, transientシミュレーションの精度検証を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-05-18
著者
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小松 裕司
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー Lsiテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
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中村 元昭
ソニー株式会社
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小松 康俊
ソニーlsiテクノロジ開発部門
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中山 創
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
Su Pin
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
-
Hu Chenming
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
-
中村 元昭
ソニーLSIテクノロジ開発部門
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小松 裕司
ソニーLSIテクノロジ開発部門
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竹下 光明
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
Su Pin
カリフォルニア大学バークレー Eecs学科
-
Hu Chenming
カリフォルニア大学バークレー Eecs学科
-
中山 創
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
竹下 光明
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
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中村 元昭
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
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小松 裕司
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
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