中山 創 | ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
小松 裕司
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー Lsiテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
中山 創
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
竹下 光明
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
松本 光市
ソニー(株)コアテクノロジー&ネットワークカンパニー
-
松本 光市
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー Lsiテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
中村 元昭
ソニー株式会社
-
小松 康俊
ソニーlsiテクノロジ開発部門
-
中山 創
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
Su Pin
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
-
Hu Chenming
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
-
中村 元昭
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
小松 裕司
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
竹下 光明
ソニーLSIテクノロジ開発部門
-
Su Pin
カリフォルニア大学バークレー Eecs学科
-
Hu Chenming
カリフォルニア大学バークレー Eecs学科
-
小山 一英
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
大野 晃計
ソニー(株)セミコンダクターネットワークカンパニー LSIテクメロジー開発部門 先端デバイス研究室
-
高橋 剛
ソニー(株)
-
小山 一英
ソニー(株)、sc・超lsi研究所
-
中村 元昭
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
-
小松 裕司
カリフォルニア大学バークレー, EECS学科
著作論文
- Self-Heating効果を考慮したSOI CMOS SPICEパラメータ抽出とシミュレーション (「VLSI一般」)
- Bulk CMOSと互換性のあるプロセスにて作製した26nm Si層の0.11μm完全空乏型SOI CMOSデバイス
- 0.13μm SOIのデバイス構造と性能予測