サイリスタのSRAMへの応用(パワーエレクトロニクスの課題と展望-ワイドバンドギャップ素子の可能性を含めて)

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概要

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バルクシリコンウエハーを用いて、サイリスタをSRAM (Static Random Access Memory) セルに追うようすることを試みた。このBulk Thyristor RAM (BT-RAM) は、バルクシリコンウエハーを用いているために、コストを抑えることができる上に混載デバイスとの相性もよい。さらに100psの高速書き込み/読み出しが可能、オン電流とオフ電流の比が10^8以上、スタンバイ電流が 0.5nA/csll 以下と非常に良好な特性を示した。また、アノード領域に選択エビタキシャル技術を用いることで、理想セルサイズも 30F^2 (Fはデサインルール) と従来型の6T-SRAM の約 1/4 のサイズになっている。このようにBT-RAM は現在SRAMの直面している問題を解決し、65nm 世代以降に有望なデバイスであることがわかった。
社団法人電子情報通信学会の論文
2007-02-22

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