1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造(固体撮像技術および一般)
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概要
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新規に開発した1.20μm画素の裏面照射型CMOSイメージセンサに搭載した縦型転送ゲート(VTG)と埋め込み遮光メタル(BSM)に関して報告する。どちらの技術もSi基板内に絶縁材料と導電材料を埋め込んだ、三次元的な構造を持っている。我々は白点や暗電流、信頼性を悪化させることなく、VTGでは約60%の飽和特性の向上、BSMでは斜め光に対する混色を50%程度に抑える効果を実現した。
- 2014-03-07
著者
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太田 和伸
ソニー株式会社
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大野 圭一
ソニー株式会社
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門村 新吾
ソニー株式会社コアテクノロジー&ネットワークカンパニーLSI事業開発本部
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平山 照峰
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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篠原 武一
ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
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渡辺 一史
ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
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阿部 高志
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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中山 創
ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
-
森川 隆史
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
-
杉本 大
ソニーセミコンダクタ株式会社IS開発部門
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森川 隆史
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
-
阿部 高志
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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大野 圭一
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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門村 新吾
ソニー株式会社R&Dプラットフォームセミコンダクタテクノロジー開発部門
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中山 創
ソニーセミコンダクター株式会社IS開発部門
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