局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 2003-03-06
著者
-
内田 哲也
(株)ルネサステクノロジ
-
栄森 貴尚
三菱電機ULSI開発研究所
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
井上 靖朗
(株)ルネサステクノロジ
-
栄森 貴尚
三菱電機ulsi技術開発センター
-
佐山 弘和
三菱電機ulsi技術開発センター
-
太田 和伸
三菱電機ULSI技術開発センター
-
杉原 浩平
三菱電機ULSI技術開発センター
-
内田 哲也
三菱電機ULSI技術開発センター
-
尾田 秀一
三菱電機ULSI技術開発センター
-
森本 博明
三菱電機ULSI技術開発センター
-
井上 靖朗
三菱電機ULSI技術開発センター
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
太田 和伸
ソニー株式会社
関連論文
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 256MビットDRAM以降対応のシャロートレンチ分離のストレス解析
- フィールドシールドアイソレーション技術を用いた0.35μm大規模SOIゲートアレー
- 水素化処理によるSOI寄生MOSFETの低しきい値電圧化の抑制
- 低電圧対応WポリサイドデュアルゲートCMOS
- CMOS/SIMOX技術を用いた動作電圧範囲の広いSOI-DRAM
- 画像信号処理の基本機能を有する三次元構造デバイス : "画像変換装置"合同研究会 : 電子装置 : 画像表示
- レ-ザ-再結晶化法によるSOI
- 超低電圧動作の16MビットDRAM/SOI技術 (特集"半導体") -- (メモリ)
- スタック型キャパシタ構造の薄膜SOI-DRAMプロセス
- 内壁酸化およびゲート酸化にランプ酸化法を用いたシャロートレンチ分離による逆ナローチャネル効果の抑制
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- 高NA(1.07)液浸リソグラフィ技術を用いた45nm世代高性能システムLSIプラットフォーム技術(CMOS6)
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- CBCM法を用いたゲート絶縁膜の容量測定
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- ゲート電流の基板バイアス依存性を考慮したフラッシュメモリセルのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 電流磁場書き込みMRAM技術
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD-2000-69 サブ0.1μmCMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1 μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- ED2000-133 / SDM2000-115 / ICD2000-69 サブ0.1μm CMOS技術 : エレベイテッドソース・ドレイン技術を中心に
- 三次元デバイスシミュレーションを用いたSOI MOSFETにおける寄生MOSFETの解析
- SOIデバイスの研究開発動向
- LSAとSpike-RTAの組み合わせによる極浅接合形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- 90ナノメートル世代のシステムLSI技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 応力依存の粘性係数を考慮した粘弾性酸化シミュレーションの安定解法
- 三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発
- MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- MOSFETフリッカ雑音のばらつきのバイアス依存性
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 相変化メモリのリセット特性のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
- 90nmテクノロジーノードによる銅配線形状の非破壊インバース・モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100mm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 3次元配線容量シミュレーションに基づいたサブ100nm世代eSRAMのスケーリングの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 方向のチャネルをもつ高性能微細MOSFET
- 歪みシリコン技術とSOI MOSFET (特集 半導体製造工程を変革する新プロセス技術) -- (最新トピックス1 新プロセス/新材料の導入)
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
- Access Control Listの等価性判定のためのテストケース生成(NW情報調査・可視化技術,インターネットと情報倫理教育,一般)
- Access Control Listの等価性判定のためのテストケース生成(NW情報調査・可視化技術,インターネットと情報倫理教育,一般)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 1.2μm裏面照射型イメージセンサにおける飽和信号増大と混色抑制のための三次元構造(固体撮像技術および一般)