ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ガスクラスターイオンビーム(GCIB)によるボロンドーピングをpMOSFETのエクステンション形成に適用した。従来の低エネルギー注入と比較して、駆動能力をほぼ同等に保ったまま短チャネル特性が改善する結果が得られた。GCIBによるボロンドーピングは、将来の微細pMOSFET形成に有望な技術であることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ ウェハプロセス技術統括部
-
林 岳
(株)ルネサステクノロジ
-
黒井 隆
(株)ルネサステクノロジ
-
川崎 洋司
(株)ルネサステクノロジ
-
山下 朋弘
(株)ルネサステクノロジ
-
山下 朋弘
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
林 岳
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
西田 征男
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
川崎 洋司
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
黒井 隆
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
栄森 貴尚
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
大路 譲
株式会社ルネサステクノロジウエハプロセス技術統括部
-
栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
-
尾田 秀一
(株)ルネサステクノロジ先端デバイス開発部
-
西出 征男
三菱電機株式会社 ULSI技術開発センター
-
大路 譲
株式会社日立製作所半導体事業部
-
栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
-
西田 征男
(株)ルネサス テクノロジ、生産本部、ウエハプロセス技術統括部
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
西田 征男
株式会社ルネサステクノロジ:広島大学大学院先端物質科学研究科
-
尾田 秀一
株式会社ルネサステクノロジ
関連論文
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- B_H_注入のミリ秒アニールに対する適用性(プロセス科学と新プロセス技術)
- ボロンガスクラスターイオンビームドーピングによるPMOSFETのエクステンション形成(半導体Si及び関連材料・評価)
- フェルミピニングによるpoly-Si電極の仕事関数制御と低電力用CMOSFET特性の向上(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- 局所歪みチャネル技術による高駆動能力55nmCMOSの作製
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高信頼性と高性能を両立するシステムオンチップ対応CMOS
- Si上極薄SiO_2膜帯電のX線照射時間依存性
- 3V単一電源64Mビットフラッシュメモリ用AND型セル
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術
- ファイル応用を指向した256MビットDRAMの回路技術
- HfSiON/TiNゲートスタックpMOSFETの陰極電子注入絶縁破壊モデルに基づくTDDB寿命予測方法
- メタルゲート/HfSiONゲート絶縁膜ゲートスタックにおけるピニング現象の改善策検討
- 高速/高信頼性130nm-node MRAM(新型不揮発性メモリ)
- 高速/高信頼性 130nm-node MRAM
- 高い駆動能力を有する高信頼HfSiONゲート絶縁膜の作製
- Dual-core-SiON技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Dual-core-SiON 技術を活用したhp65-SoC LOP向けOI-SiNゲート絶縁膜
- HfSiON絶縁膜を用いたメタルゲートCMOSプロセスの検討
- CMOS用極薄SiONゲート絶縁膜のn/p独立チューニング(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- フルシリサイドゲートトランジスタ閾値のゲート長依存性(半導体Si及び関連材料・評価)
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM
- ボディ電位制御技術を用いた低電圧・高速動作ABC-SOI SRAM(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Ru-Mo合金を用いた金属/high-k 絶縁膜ゲートスタックの実効仕事関数制御
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- FSP-FLA(Flexibly-Shaped-Pulse FLA)による極浅接合形成とメタル/高誘電率絶縁膜デバイス特性の改善(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- (100),(110)基板上High-κ/MetalゲートpMOSFETsのNBTIと1/fノイズ特性の相違に関する考察(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 高性能,低消費電力を目指すCMOSデバイス構造の今後の発展(極限の微細化を目指す半導体プロセス技術)
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- トンネル絶縁膜特性に及ぼす電極上絶縁膜の影響
- poly-Si電極における仕事関数変調とそのデバイスインパクト : SiON/poly-Si界面の微量Hfの効果(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- LSAとSpike-RTAの組み合わせによる極浅接合形成技術(プロセス科学と新プロセス技術)
- ハイブリッドトレンチ分離SOIデバイスにおけるボディ電位制御技術(半導体Si及び関連材料・評価)
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 閾値電圧制御を用いた低電圧SOICMOSデバイス技術(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 90nmノードAG-ANDフラッシュメモリのためのソースサイド注入書込みのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 65nmノード歪みpMOSFETのホール伝導における全応力の効果の検証(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- チャネルnMOS移動度のストレスライナー膜による影響(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 21世紀に向けた半導体メモリの技術課題とロードマップ
- 高集積DRAM用CVD-Ta_2O_5キャパシタ技術
- High-k/メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS
- 32nmノード以降のメタルゲート/high-k CMOSの接合形成技術
- High-k/ メタルゲートMOSFETのしきい値電圧の温度依存性
- 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)