低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Al_2O_3/HfO_2/SiON構造ゲート絶縁膜を形成するためのアニールプロセスとV_<fb>,EOT及びV_t,バラツキとの関係を調査した。Al_2O_3をHfO_2/SiON膜に拡散させてV_<fb>を十分にシフトさせるためにはAl_2O_3形成後(電極堆積前)に高温でアニールを行うことが必要であることを示した。また、Al_2O_3がHfO_2/SiON膜に拡散にすることによりV_tバラツキが増加するが、1050℃程度の高温アニールを行いHfO_2/SiON界面のAl量を増加させることでV_tバラツキが抑制できることを示した。高温アニールによるEOT増加の懸念に対し、Al_2O_3堆積前と後のアニールを組み合わせたアニールプロセスを提案した。以上によりV_tバラツキの増大及びEOTの増加を抑制しつつ、V_<fb>をシフトさせることが可能となった。
- 2009-06-12
著者
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
-
三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
-
栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
-
由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
-
池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
-
大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
由上 二郎
ルネサス テクノロジ
-
奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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