高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
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概要
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- 2006-06-28
著者
-
高橋 正志
半導体mirai-aset
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
小川 有人
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
門島 勝
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
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