AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
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概要
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従来の熱酸化膜に替わる高信頼性極薄酸化膜の形成方法として注目されるラジカル酸化は、電気特性改善、酸化膜/Si界面構造平坦化、低温プロセス実現などの特徴を有する。その中で、TM-AFMを用いてラジカル酸化膜/Si界面の平坦性について検討し、界面ラフネスが、ラジカル酸化膜形成膜厚の増加と共に、単調に減少する事を見いだした。界面構造は、形成する酸化膜厚、或いは基板面方位によって異なるものの、原子オーダでの平坦化が可能であり、nmオーダの薄い酸化膜形成に於いて、ラジカル酸化が、酸化膜/Si界面ラフネス改善効果の高いプロセスとして有効である事が明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
臼田 宏治
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
-
伊藤 仁
(株)東芝研究開発センターlsi基盤技術ラボラトリー
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
伊藤 仁
(株)東芝ulsi研究所
-
長嶺 真
(株)東芝研究開発センターLSI基盤技術ラボラトリー
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