Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Poly Siゲート電極を持つhigh-k MIS構造で見られる非飽和型のC-V特性の起源を、poly Siゲート容量の電界による変調という観点から議論した。本検討から、フェルミレベル・ピニング欠陥を主とする欠陥電荷の存在により、poly Siゲート電極とSi基板表面の電界が相対的にずれ、このずれに起因して、Si基板の蓄積領域から反転領域までの全範囲で見かけ上の「ゲート空乏化」が大きくなることがわかった。これが非飽和型C-V特性の起源であり、実験結果とモデルの比較から、10^<13>cm^<-2>程度の欠陥電荷がpoly Si電極/high-kゲート絶縁膜界面に存在することが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-06-03
著者
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
-
佐竹 秀喜
半導体MIRAIプロジェクト-ASET
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
鳥海 明
東京大学
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
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