Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
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概要
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- 2010-03-26
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
長汐 晃輔
東京大学工学系研究科マテリアル工学専攻
-
喜多 浩之
東京大学
-
王 盛凱
東京大学
-
李 忠賢
東京大学
-
吉田 まほろ
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学
-
鳥海 明
東京大学
-
喜多 浩之
東京大学工学部
-
長汐 晃輔
東京大学マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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王 盛凱
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻:jst-crest
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