GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上--Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
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概要
- 論文の詳細を見る
- 2010-01-29
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
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