金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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Geデバイスの適用世代では微細化に伴う寄生抵抗の低減が必要不可欠であり、接触抵抗においては金属/半導体間のショットキー障壁高さの低減が要求される。しかしながらGeについてはショットキー障壁高さの金属仕事関数依存性が殆ど見られず、Geの価電子帯近傍に強くフェルミレベルピンニングを生じる。殆どの界面処理がショットキー障壁高さに影響を与えないことからも、ピンニングが本質的な現象であると推測される。一方、金属/絶縁膜/Geキャパシタの絶縁膜/Ge界面は金属/Ge界面程のピンニングが生じていないことは既に良く知られており、金属/Ge界面への極薄膜導入によるショットキー障壁高さ制御の可能性について紹介する。
- 2009-06-12
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
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