基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))
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概要
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本研究ではGe基板に由来するGe nMOSFETsにおける電子移動度の劣化機構について議論する.Ge nMOSFETsにおいて高反転層キャリア密度(高Ns)領域における電子移動度の劣化の起源についでは未だ不明な点が多い.今回我々は基板表面を原子レベルで平坦化し,layer-by-layer酸化によるゲートスタック構造の形成を行うことにより,高Ns領域における電子移動度の大幅に改善されることを明らかにした.更に基板中の酸素に相関した中性不純物散乱の存在も示唆されることが分かった.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2014-01-22
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
田畑 俊行
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
魯 辞莽
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
-
張 文峰
東京大学大学院工学系研究科マテリアル工学専攻
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