GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
GeO_2/Ge界面からのGeOの脱離はGeゲートスタックの劣化の大幅な劣化の原因となる。本研究ではGeOが脱離する現象を解析し,その理解に基づくGeO_2の膜質とGeO_2/Ge界面の両方の制御を行った。GeOの脱離によるGeO_2膜質への影響は,サブギャップ領域での光吸収として現れる。これは酸素欠損性の欠陥形成に伴うものであり,熱処理中の酸素分圧によって制御可能であった。また低温での酸素アニールを加えるとGeO_2/Ge界面欠陥準位は大幅に低減された。これらの制御を行ってGen-MOSFETを形成したところ,Siユニバーサルを超える電子移動度が実現した。
- 2010-06-15
著者
-
鳥海 明
東京大学大学院
-
喜多 浩之
東京大学
-
吉田 まほろ
東京大学
-
西村 知紀
東京大学
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
喜多 浩之
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
王 成凱
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
李 忠賢
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
吉田 まほろ
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学
-
鳥海 明
東京大学
-
鳥海 明
東京大学大学院工学系研究科
-
喜多 浩之
東京大学大学院工学系研究科 化学システム工学専攻
-
鳥海 明
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
-
長汐 晃輔
東京大学大学院マテリアル工学専攻
-
長汐 晃輔
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
-
西村 知紀
東京大学大学院光学系研究科マテリアル工学専攻:JRS-CREST
関連論文
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- GeO2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上--Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証 (シリコン材料・デバイス・IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- GeO2/Ge界面反応の理解に基づくGeO2膜物性の劣化現象の制御 (シリコン材料・デバイス)
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
- LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
- Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇
- Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- UHV-C-AFMによるHfO_2/SiO_2スタック構造におけるリークスポットの直接観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 銅-シリコン溶液を用いた太陽電池用多結晶シリコン薄膜の製造プロセスの設計とコスト評価
- 太陽光発電システムの導入によるCO_排出削減効果
- 太陽光発電システムのライフサイクルアセスメント
- グラフェン/金属コンタクトの重要性 : 移動度とコンタクト抵抗の解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション (シリコン材料・デバイス)
- 5.MOSトランジスタゲートスタック技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認
- X線光電子分光時間依存測定による極薄シリコン酸化膜中の電荷分布解析
- 有限の厚さを持つ場としての界面のデザイン
- Ge-MOSFETの可能性と課題
- 高誘電率ゲート絶縁膜技術の課題と動向
- 100nmトランジスタ・デバイスの動向と平坦化CMPへの期待
- 高誘電体ゲート絶縁膜の開発と材料科学
- AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
- ゲート酸化膜薄膜化の課題と展望
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証
- 4族系非シリコンFETの可能性と課題 : ゲルマニウムとグラフェンの場合
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 銅–シリコン溶液を用いた太陽電池用多結晶シリコン薄膜の製造プロセスの設計とコスト評価
- 2.グラフェンFETの界面に対する理解と制御(ナノデバイス)
- グラフェン/SiO基板相互作用に対する理解と制御 (特集 カーボン系材料の特異な表面科学)
- グラフェンFETの界面に対する理解と制御
- グラフェン/SiO_2基板相互作用に対する理解と制御
- MOS反転層モビリティの高精度評価
- FTIR-ATRスペクトルによる4H-SiCと熱酸化膜の界面構造の解析(SiC-MOSゲートスタック技術の進展,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 基板からみたGe n-MOSFETsにおける電子移動度の考察(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))