LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
Layer-by-Layer Deposition & Annealing(LL-D&A)法で作製したHfAlO_x膜の物性及び電気特性について報告する。先ず、LL-D&A法における膜の緻密化処理するRTA工程は、HfAlO_x膜からの不純物除去結果より、約1.8nm以下の膜厚で挿入することが効果的であることが分った。HfAlO_x膜において、通常のALD法とRTAを組合せた方法とLL-D&A法を比べると物性及び電気特性に大きな相違が認められた。SIMS分析より、D&A(O_2)及びD&A(NH_3)で作製したHfAlO_x膜中の残留炭素は、通常のALD+RTA法で作製した膜に比べて少なくとも50%以上除去できることが分った。D&A(O_2)及びD&A(NH_3)で作製したHfAlO_x膜のC-V特性より、ビステレシスを約-15mVと非常に小さくすることができた。しかも、両者のリーク電流密度は、V_<FB>-1Vの条件で約5×10^<-3>A/cm^2以下と小さかった。LL-D&A法は、通常のALD+RTA法に比べて、膜の緻密化、不純物除去及びビステレシスの電気特性で優れていることが分った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-06-20
著者
-
水林 亘
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
岩本 邦彦
半導体MIRAI-ASET
-
生田目 俊秀
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
安田 直樹
半導体MIRAI-ASET
-
堀川 剛
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
富永 浩二
半導体MIRAI-ASET
-
安田 哲二
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
久松 裕和
半導体MIRAI-ASET
-
鳥海 明
半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
鳥海 明
東京大学
-
生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
-
水林 亘
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
太田 裕之
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
水林 亘
産業技術総合研究所
-
水林 亘
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
鳥海 明
半導体MIRAI-産総研,東大工
関連論文
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 金属/ゲルマニウム界面のフェルミレベルピンニングとその制御性(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
- LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
- パーティクルフリー分子線エピタキシー成長とデバイス作製技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- Bi自己停止作用を利用したBSCCO超電導体の原子層制御分子線エピタキシー (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
- Ge/GeO_2界面反応の理解に基づいたGeO_2膜物性の制御とGe-MOSFETの性能向上
- 極薄ゲート酸化膜におけるSoft Breakdownの統計解析
- ストレスリーク電流における非弾性トンネリングの実験的検証
- III-VチャネルMISFET実現に向けたゲート絶縁膜界面制御技術(ゲートスタック構造の新展開(II),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 極薄シリコン酸化膜における絶縁破壊とストレスリーク電流の起源
- GeO_2/Ge界面反応の理解に基づくGeO_2膜物性の劣化現象の制御(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 原子スケールの構造制御技術でアプローチするシリコンナノワイヤトランジスタの開発(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性(表示記録用有機材料およびデバイス)
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- ペンタセンTFTの移動度の電界依存性
- 0.10μm DRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- MIMキャパシタ用電極の形成技術
- 0.10ミクロンDRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- High-k/SiO_2界面に形成されるダイポールの起源(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 水素雰囲気下で蒸着することによるペンタセンTFTの移動度の向上(センサー,デバイス,一般)
- MOS反転層モビリティの高精度評価(ゲートスタック構造の新展開(I),ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ge/High-k膜の界面反応に着目した電気特性の制御(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
- YをドープしたHfO_2の相変化による誘電率の上昇
- Si(100), (110), (111)面上のn及びp型反転層における一軸応力下の移動度の面内異方性とユニバーサリティー(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- UHV-C-AFMによるHfO_2/SiO_2スタック構造におけるリークスポットの直接観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- グラフェン/金属コンタクトの重要性 : 移動度とコンタクト抵抗の解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上 : Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 5.MOSトランジスタゲートスタック技術(サブ100nm時代のシステムLSIとビジネスモデル)
- 気液ハイブリッド法によるハフニウムシリケート薄膜の作製とその電気特性 : TEOSによるシリケート膜の成長(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 分子層制御CVDによるAlO_x:Nゲート絶縁膜の形成と電気的特性評価
- CVD AlO_x : N/Si(100)ヘテロ接合における化学結合状態分析とエネルギーバンドプロファイルの決定
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認
- シリコンを用いた単一電子トンネルトランジスタの試作と動作確認
- X線光電子分光時間依存測定による極薄シリコン酸化膜中の電荷分布解析
- 有限の厚さを持つ場としての界面のデザイン
- Ge-MOSFETの可能性と課題
- 100nmトランジスタ・デバイスの動向と平坦化CMPへの期待
- 高誘電体ゲート絶縁膜の開発と材料科学
- AFMによるラジカル酸化膜/Si界面平坦化効果の検討
- ゲート酸化膜薄膜化の課題と展望
- 絶縁破壊後の抵抗値統計分布に着目した薄いシリコン酸化膜の絶縁破壊機構の考察
- 薄いシリコン酸化膜の信頼性劣化機構に関する考察
- Ge-CMOSに向けた界面の制御と課題
- 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
- 4族系非シリコンFETの可能性と課題 : ゲルマニウムとグラフェンの場合
- Ge CMOSに適したチャネル界面パッシベーション(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- Ni-InGaAs合金を用いた自己整合型メタルソース・ドレインIn_xGa_As MOSFETs(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
- Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ITO/HfO_2MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- エピタキシャルNiSiソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減 (シリコン材料・デバイス)
- 2.グラフェンFETの界面に対する理解と制御(ナノデバイス)
- 引張りひずみ及びMOS界面バッファ層によるIn_xGa_As MOSFETの移動度向上とその物理的理解(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO換算膜厚を持つhigh-k(k=40)HfOゲートスタックの形成 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割
- グラフェン/SiO_2基板相互作用に対する理解と制御
- エピタキシャルNiSi_2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- CT-2-5 低電圧SRAMデバイス技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
- 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO_2換算膜厚を持つ high-k (k=40) HfO_2 ゲートスタックの形成
- Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 9aSK-2 HfO2中の酸素拡散の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10)
- HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 高信頼メタル/high-k CMOS SOI FinFETsのための高温イオン注入技術(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))