Si高指数面酸化過程のリアルタイム光電子分光による評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• 面方位(113)、(120)のシリコン高指数面の初期酸化過程を光電子分光法を用いて調べた。酸化状態Si^<n+>(n=1-4)の時間変化から、これらの高指数面ではSi(001)面と比較してSi^<2+>強度が減少することが分かった。O1s状態は、低結合エネルギー成分(LBC)と高結合エネルギー成分(LBC)に成分分解される。本実験から、歪んだSi-O-Si結合中のO原子はLBCに寄与することが示唆された。

• 2011-06-27

著者

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 大野 真也

  横国大工

• 田中 正俊

  横国大工

• 新江 定憲

  横国大工

• 豊島 弘明

  横国大工

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 寺岡 有殿

  原研

• 大野 真也

  横浜国立大学工学部知能物理工学科

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 吉越 章隆

  原研 放射光科学研セ

• 森本 真弘

  横国大工

• 安田 哲二

  産業技術総合研究所

• 井上 慧

  横国大工

• 田中 正俊

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 森本 真弘

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 大野 真也

  横浜国立大学大学院工学府物理情報工学

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構

• 井上 慧

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 新江 定憲

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 豊島 弘明

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 尾形 祥一

  横浜国立大学大学院工学研究院

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所放射光科学研究センター

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 新江 定憲

  横国大院工

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• 高温Si(001)表面上のアルカリ金属原子吸着・脱離過程のリアルタイム光学測定
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• 酸素分子の並進運動エネルギーで誘起されるSi(001)表面酸化状態の放射光光電子分光法によるリアルタイム観察
• 酸素分子の運動エネルギーによって誘起されるSi(001)初期酸化過程の高分解能光電子分光解析
• 部分酸化Si(001)表面のO_2並進運動エネルギー誘起酸化とその場放射光光電子分光観察
• 酸素分子の並進運動エネルギー誘起Si(001)表面初期酸化過程の放射光光電子分光法による"その場"観察
• Si(111)表面反射スペクトルのクラスター計算による評価
• 23pPSB-16 STMで観察されるSi(111)-7x7に吸着したK原子の表面拡散(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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• 23pPSB-17 表面修飾Si(001)表面上のオリゴチオフェン分子の構造と電子状態(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23pPSA-17 Si(113)表面上におけるH原子吸着脱離過程のリアルタイム計測(23pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
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