エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
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概要
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絶縁体・強誘電体がエピタキシャル成長したゲート構造を有する強誘電体ゲートFETを作製した.パルスレーザ推積法を用いてSrTiO_3/Ce_<0.12>Zr_<0.88>O_2複合絶縁層及び強誘電体SrBi_2Ta_2O_9を順にSi(001)基板上に成長し, SrBi_2Ta_2O_9膜のc軸が基板鉛直方位から45°傾斜したエピタキシャル成長に成功した.ダイオード構造のC-V特性において強誘電体の残留分極によるメモリ特性を観察し, 10日間以上にわたるデータ保持特性を確認した.FET構造のI_d-V_g特性においても5けた以上のドレーン電流ON/OFF比とメモリ特性を得ており, 2時間以上のデータ保持特性を確認した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-01
著者
-
太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
産業技術総合研究所
-
坂巻 和男
産業技術総合研究所
-
熊 四輩
産業技術総合研究所
-
太田 裕之
産業技術総合研究所
-
垂井 康夫
産業技術総合研究所
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
右田 真司
電子技術総合研究所
-
坂巻 和男
日本プレシジョンサーキッツ(株)
-
熊 四輩
電子技術総合研究所
-
太田 裕之
電子技術総合研究所
-
垂井 康夫
電子技術総合研究所
-
酒井 滋樹
電子技術総合研究所
-
坂巻 和男
産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社
-
太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
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