鳥海 明 | 半導体MIRAI-産総研,東大工

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概要

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関連著者

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 堀川 剛

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 太田 裕之

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 安田 直樹

  半導体MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  半導体mirai-産総研asrc

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 平野 晃人

  半導体MIRAI-ASET

• 小川 有人

  半導体MIRAI-ASET

• 渡邉 幸宗

  半導体MIRAI-ASET

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 宮田 典幸

  アトムテクノロジー研究体

• 宮田 典幸

  次世代半導体研究センター

• 宮田 典幸

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 高橋 正志

  半導体mirai-aset

• 森田 行則

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科

• 岡田 健治

  半導体MIRAI-ASET

• 市川 昌和

  半導体mirai-産総研asrc:東大

• Kundu Manisha

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• Okada K

  Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn

• 岡田 健治

  松下電器産業(株)

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 市川 昌和

  東京大学 工学部 物理工学科

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院 工学研究科

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 秋山 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 富永 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 久松 裕和

  半導体MIRAI-ASET

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 藤井 眞治

  半導体MIRAI-ASET

• 藤井 眞治

  半導体mirai-aset:(現)松下電器産業株式会社半導体社プロセス開発センター)

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• Kresse Georg

  ウイーン大学

• 池田 稔

  半導体MIRAI-ASET

• 生田目 秀俊

  半導体MIRAI-ASET

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著作論文

• High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
• LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k MOS デバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割
• 9aSK-2 HfO2中の酸素拡散の第一原理計算(格子欠陥・ナノ構造,領域10)

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