市川 昌和 | 東京大学 工学部 物理工学科

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概要

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• 同名の論文著者
• 東京大学 工学部 物理工学科の論文著者

関連著者

• 市川 昌和

  半導体mirai-産総研asrc:東大

• 宮田 典幸

  アトムテクノロジー研究体

• 宮田 典幸

  次世代半導体研究センター

• 宮田 典幸

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 市川 昌和

  東京大学 工学部 物理工学科

• 渡部 平司

  Nec基礎研究所

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 堀川 剛

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 市川 昌和

  アトムテクノロジー研究体

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• Kundu Manisha

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 渡部 平司

  アトムテクノロジー研究体

• 渡部 平司

  NEC基礎研

• 太田 裕之

  次世代半導体研究センター

• 市川 昌和

  東京大学工学部物理工学科

• 渡部 平司

  日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部

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著作論文

• 走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• シリコン表面の原子層単位の酸化反応
• 23pZN-8 Siの層状酸化
• シリコン表面のLayer-by-Layer酸化

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