シリコン表面のLayer-by-Layer酸化
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本表面科学会の論文
- 1999-04-10
著者
-
市川 昌和
半導体mirai-産総研asrc:東大
-
宮田 典幸
アトムテクノロジー研究体
-
渡部 平司
アトムテクノロジー研究体
-
宮田 典幸
次世代半導体研究センター
-
宮田 典幸
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
渡部 平司
Nec基礎研究所
-
市川 昌和
東京大学 工学部 物理工学科
関連論文
- 29a-PB-15 走査反射電子顕微鏡による常圧熱酸化SiO_2/Si(001)界面の観察
- 走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
- シリコン表面の原子層単位の酸化反応
- 23pZN-8 Siの層状酸化
- シリコン表面のLayer-by-Layer酸化
- 堆積温度上昇によるMOCVD HfO_2膜のフッ酸エッチング速度の急激な低下(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)