走査型トンネル顕微鏡を用いたhigh-kゲート絶縁膜の評価 : STMスポットと正固定電荷の相関(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)

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概要

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• 走査型トンネル顕微鏡(scanning tunneling microscopy: STM)を用いてHfO_2表面を観察していると、ナノスケールのスポットが突然現れる箇所が認められた。STMスポットの形成は、HfO_2表面近傍の欠陥が構造変化を起こしたことを示唆している。また、STMで観察される欠陥は、HfO_2成長後の熱処理温度を高くすることで低減でき(400-550℃)、さらにHfO_2膜中の正固定電荷の温度依存性と良い相関を持つことが明らかになった。すなわち、STMスポットは、正固定電荷が存在していた箇所に対応すると推測される。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-06-02

著者

• 市川 昌和

  半導体mirai-産総研asrc:東大

• 宮田 典幸

  アトムテクノロジー研究体

• 宮田 典幸

  次世代半導体研究センター

• 太田 裕之

  次世代半導体研究センター

• 市川 昌和

  東京大学工学部物理工学科

• 宮田 典幸

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 市川 昌和

  東京大学 工学部 物理工学科

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