シリコン表面の原子層単位の酸化反応
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概要
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シリコン酸化膜はLSIへの応用上重要であり,古くから多くの研究がなされてきた.シリコン表面の酸化反応は結晶相から非晶質相への変換であり,かつ界面での体積膨張を伴ったいわゆる格子不整合系の特殊な膜成長過程である.このために情報が断片的となり,これまで本質的な理解が困難であった.最近,極薄ゲート絶縁膜開発の重要性を背景として,酸化膜形成過程の研究が実験・理論の両面で精力的に進められ,シリコン表面の酸化反応が原子層単位で整然と進行することが明らかとなってきた.本稿では原子層ごとの酸化反応を実験的に観測した研究結果ならびに理論研究例を紹介し,シリコン表面の酸化現象の物理的理解がどこまで進んだのかを概説する.
- 社団法人日本物理学会の論文
- 2000-11-05
著者
-
市川 昌和
アトムテクノロジー研究体
-
市川 昌和
半導体mirai-産総研asrc:東大
-
宮田 典幸
アトムテクノロジー研究体
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宮田 典幸
次世代半導体研究センター
-
宮田 典幸
半導体MIRAI-産総研ASRC
-
渡部 平司
日本電気株式会社システムデバイス・基礎研究本部
-
渡部 平司
Nec基礎研究所
-
市川 昌和
東京大学 工学部 物理工学科
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