生田目 俊秀 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

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概要

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• (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構の論文著者

関連著者

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 鳥海 明

  東京大学

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 小川 有人

  半導体MIRAI-ASET

• 平谷 正彦

  (株)日立製作所 中央研究所

• 平谷 正彦

  Hitachi Europe Ltd. Whitebrook Park

• 太田 裕之

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 高橋 正志

  半導体mirai-aset

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 安田 直樹

  半導体MIRAI-ASET

• 門島 勝

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 堀川 剛

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 生田目 俊秀

  (株)日立製作所日立研究所

• 中村 吉孝

  エルピーダメモリ株式会社

• 浅野 勇

  エルピーダメモリ株式会社

• 浅野 勇

  エルピーダメモリ(株)

• 中村 吉孝

  エルピーダメモリ(株)

• 藤原 英明

  Mirai-aset

• 右田 真司

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 平野 晃人

  半導体MIRAI-ASET

• 渡邉 幸宗

  半導体MIRAI-ASET

• 岡田 健治

  半導体MIRAI-ASET

• 門島 勝

  MIRAI-ASET

• 小川 有人

  MIRAI-ASET

• 高橋 正志

  MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  MIRAI-産総研ASRC

• 三瀬 信行

  MIRAI-ASET

• 岩本 邦彦

  MIRAI-ASET

• 右田 真司

  MIRAI-産総研ASRC

• 佐竹 秀喜

  MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  MIRAI-産総研ASRC

• 嶋本 泰洋

  (株)日立製作所中央研究所

• 斎藤 達之

  (株)日立製作所デバイス開発センタプロセス開発部

• 齋藤 達之

  (株)日立製作所

• 松井 裕一

  (株)日立製作所中央研究所

• 市川 昌和

  半導体mirai-産総研asrc:東大

• 宮田 典幸

  アトムテクノロジー研究体

• 齋藤 達之

  (株)日立製作所マイクロデバイス事業部

• 飯島 晋平

  エルピーダメモリ株式会社

• 佐伯 智則

  (株)日立製作所生産技術研究所

• 二瀬 卓也

  (株)日立超LSIシステムズ

• 山本 智志

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 関口 敏宏

  エルピーダメモリ株式会社

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構

• 宮田 典幸

  次世代半導体研究センター

• 宮田 典幸

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• Kundu Manisha

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• Okada K

  Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn

• 岡田 健治

  松下電器産業(株)

• 松井 裕一

  (株)日立製作所 中央研究所

• 右田 真司

  半導体mirai-産総研asrc

• 市川 昌和

  東京大学 工学部 物理工学科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 木村 紳一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 山下 良之

  物質・材料研究機構 SPring-8

• 松木 武雄

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 森田 行則

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科

• 秋山 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  東京大学大学院

• 富永 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 安田 哲二

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 久松 裕和

  半導体MIRAI-ASET

• 栄森 貴尚

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ

• 由上 二郎

  (株)日立製作所 中央研究所

• 門島 勝

  日立研究所

• 生田目 俊秀

  日立研究所

• 池田 和人

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 松木 武雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 諸岡 哲

  半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 木村 紳一郎

  日立製作所中央研究所

• 由上 二郎

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 栄森 貴尚

  (株)ルネサステクノロジ

• 大路 譲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 諸岡 哲

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 関口 敏芳

  エルピーダメモリ株式会社

• 生田目 俊英

  (株)日立製作所

• 二瀬 卓也

  株式会社日立超LSIシステムズ

• 鳥海 明

  東京大学大学院工学系研究科

• 由上 二郎

  ルネサス テクノロジ

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 小椋 厚志

  明治大学理工学部

• 大石 知司

  芝浦工業大学 工学部 応用化学科

• 斎藤 達之

  (株)日立製作所 デバイス開発センタ プロセス開発部

• 諸岡 哲

  (株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 山田 博之

  芝浦工業大学工学部物質系応用化学科

• 生田目 俊秀

  物質・材料研究機構MANAファウンドリ&MANA半導体材料グループ

• 大井 暁彦

  物質・材料研究機構MANAファウンドリ&MANA半導体材料グループ

• 生田目 俊秀

  物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ

• 大石 知司

  芝浦工業大学工学部物質系応用化学科

• 大井 暁彦

  物質・材料研究機構manaファウンドリ&mana半導体材料グループ

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院 工学研究科

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 生田目 俊秀

  明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 小橋 和義

  明治大学理工学研究科

• 長田 貴弘

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 知京 豊裕

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 小橋 和義

  明治大学理工学研究科:物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 山下 良之

  物質・材料研究機構国際ナノアーキテクトニクス研究拠点

• 小椋 厚志

  明治大学理工学研究科

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著作論文

• 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高誘電体ゲート絶縁膜/Si基板界面改質によるトランジスタ特性と絶縁膜長期信頼性の改善
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• キャリア分離法を用いた high-k stack ゲート絶縁膜のキャリア伝導及び絶縁性劣化機構の解析
• LL-D&A法で作製したHfAlO_x膜の物性と電気特性(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
• TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
• Ru(C_5H_4C_2H_5)_2/THF原料を用いたCVD法によるRu電極の形成
• Poly-SiゲートHigh-k MIS構造における非飽和型C-V特性の起源(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
• 0.10μm DRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
• MIMキャパシタ用電極の形成技術
• 0.10ミクロンDRAM用MIM/Ta_2O_5キャパシタプロセスの開発
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• HfO_2ゲート絶縁膜の熱的安定性 : 界面層の成長およびシリサイドの形成(VLSI回路, デバイス技術(高速, 低電圧, 低電力))
• 還元雰囲気下でのゲート電極形成プロセスによるHfO_2膜の初期絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• ITO/HfO_2MOSキャパシタで、酸化・還元熱処理がVfbシフトへ及ぼす影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• HfO_2/Ge界面へのルチル型TiO_2挿入によるGeO_x生成の抑制(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

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