右田 真司 | (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

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概要

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関連著者

• 右田 真司

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 右田 真司

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 右田 真司

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 太田 裕之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 右田 真司

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 森田 行則

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 森田 行則

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 水林 亘

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 森田 行則

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 水林 亘

  産業技術総合研究所

• 森田 行則

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 岩本 邦彦

  半導体MIRAI-ASET

• 右田 真司

  産業技術総合研究所

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所

• 鳥海 明

  半導体mirai-産総研asrc:東京大学工学部マテリアル工学科

• 森田 行則

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 鳥海 明

  東京大学

• 生田目 俊秀

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構

• 高橋 正志

  半導体mirai-aset

• 右田 真司

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 小川 有人

  半導体MIRAI-ASET

• 森田 行則

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  半導体mirai-産総研asrc

• 太田 裕之

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 中川 格

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 三瀬 信行

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所

• 塚田 順一

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 藤原 英明

  Mirai-aset

• 森田 行則

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 平野 晃人

  半導体MIRAI-ASET

• 渡邉 幸宗

  半導体MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  半導体MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 佐竹 秀喜

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 門島 勝

  半導体MIRAIプロジェクト-ASET

• 門島 勝

  MIRAI-ASET

• 小川 有人

  MIRAI-ASET

• 高橋 正志

  MIRAI-ASET

• 太田 裕之

  MIRAI-産総研ASRC

• 三瀬 信行

  MIRAI-ASET

• 岩本 邦彦

  MIRAI-ASET

• 右田 真司

  MIRAI-産総研ASRC

• 佐竹 秀喜

  MIRAI-ASET

• 生田目 俊秀

  MIRAI-ASET

• 鳥海 明

  MIRAI-産総研ASRC

• 熊 四輩

  産業技術総合研究所

• 垂井 康夫

  産業技術総合研究所

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 右田 真司

  電子技術総合研究所

• 坂巻 和男

  日本プレシジョンサーキッツ(株)

• 熊 四輩

  電子技術総合研究所

• 太田 裕之

  電子技術総合研究所

• 垂井 康夫

  電子技術総合研究所

• 酒井 滋樹

  電子技術総合研究所

• 坂巻 和男

  産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社

• 大内 真一

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永勲

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 遠藤 和彦

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 松川 貴

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 中川 格

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 太田 裕之

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 塚田 順一

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 関川 敏弘

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 小池 汎平

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 坂本 邦博

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  (独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  半導体MIRAI-産総研ASRC

• 松川 貴

  独立行政法人産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター

• 鳥海 明

  半導体MIRAI-産総研,東大工

• 昌原 明植

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 松川 貴

  連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター,ナノエレクトロニクス研究部門,産業技術総合研究所

• 遠藤 和彦

  産業技術総合研究所

• 田岡 紀之

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 高木 信一

  半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター

• 上牟田 雄一

  半導体MIRAI-ASET

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科

• 安田 直樹

  半導体MIRAI-ASET

• 秋山 浩二

  半導体MIRAI-ASET

• 岡田 健治

  半導体MIRAI-ASET

• 坂巻 和男

  産業技術総合研究所

• 田岡 紀之

  半導体miraiプロジェクト 産業技術総合研究所次世代半導体研究センター(mirai-aist)

• 高木 信一

  東京大学

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト 超先端電子技術開発機構(aset)

• 坂本 邦博

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 柳 永〓

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 山内 洋美

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 石川 由紀

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 昌原 明植

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Okada K

  Yamaguchi Univ. Yamaguchi Jpn

• 岡田 健治

  松下電器産業(株)

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所

• 関川 敏弘

  産業技術総合研究所

• 高木 信一

  半導体miraiプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター:東京大学大学院工学系研究科

• 水林 亘

  産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院工学研究科:半導体mirai-産総研asrc

• 松川 貴

  産業技術総合研究所

• 大内 真一

  産業技術総合研究所

• 小池 汎平

  産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門エレクトロインフォマティックスグループ

• 布重 裕

  芝浦工業大学大学院 工学研究科

• 太田 裕之

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

• 水林 亘

  産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門

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著作論文

• High-k MOSデバイスのしきい値電圧制御におけるhigh-k/SiO_2界面の役割(メタルゲート/High-k絶縁膜スタック,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• High-k MOSFETに固有な移動度劣化機構の提案(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• Ge MIS界面欠陥の電気的性質(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
• パーティクルフリーBSCCO超伝導薄膜作製に成功--原子吸光フラックスモニター法を用いた高精度分子線結晶成長技術で
• パーティクルフリー分子線エピタキシー成長とデバイス作製技術 (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
• Bi自己停止作用を利用したBSCCO超電導体の原子層制御分子線エピタキシー (特集:高温超電導) -- (超電導素子の研究)
• Hf系高誘電率ゲート絶縁膜のAl濃度変調及びパーシャルシリサイドゲート電極によるCMOS非対称閾値の改善(VLSI回路, デバイス技術(高速・低電圧・低消費電力))
• エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
• 原子層堆積法による高誘電率ゲート絶縁膜の作製とその特性への基板親水性の影響
• C-12-3 閾値可変型FinFETを用いた0.7V動作演算増幅器の試作(アナログ要素回路,C-12.集積回路,一般セッション)
• エピタキシャルNiSi_2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• CT-2-5 低電圧SRAMデバイス技術(CT-2.サブ0.5V時代に向けた低電圧・低電力メモリ技術,チュートリアルセッション,ソサイエティ企画)
• 原子層堆積法とTiキャップアニールによる極薄SiO_2換算膜厚を持つ high-k (k=40) HfO_2 ゲートスタックの形成

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