酒井 滋樹 | 産業技術総合研究所
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概要
関連著者
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所
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高橋 光恵
産業技術総合研究所
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竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学
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畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科
-
畑中 輝義
東京大学
-
矢島 亮児
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
竹内 健
東京大学工学系研究科
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田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
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堀内 健史
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
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野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学大学院工学系研究科
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矢島 亮児
東京大学大学院工学系研究科
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
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太田 裕之
半導体MIRAIプロジェクト-ナノ電子デバイス研究センター
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熊 四輩
産業技術総合研究所
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垂井 康夫
産業技術総合研究所
-
右田 真司
電子技術総合研究所
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坂巻 和男
日本プレシジョンサーキッツ(株)
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熊 四輩
電子技術総合研究所
-
太田 裕之
電子技術総合研究所
-
垂井 康夫
電子技術総合研究所
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酒井 滋樹
電子技術総合研究所
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堀内 健史
(独)産業技術総合研究所
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野田 晋司
東京大学工学系研究科
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坂巻 和男
産業技術総合研究所:日本プレシジョンサーキッッ株式会社
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宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
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田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
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太田 裕之
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
Wang Shouyu
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
Zhang Xizhen
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所ナノ電子デバイス研究センター
-
宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
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畑中 輝義
東京大学電気系工学専攻
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堀内 健史
独立行政法人 産業技術総合研究所
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宮地 幸祐
東京大学
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右田 真司
(独)産業技術総合研究所ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所 ナノエレクトロニクス研究部門
-
右田 真司
産業技術総合研究所グリーンナノエレクトロニクスセンター
-
右田 真司
産業技術総合研究所
-
坂巻 和男
産業技術総合研究所
-
太田 裕之
産業技術総合研究所
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大橋 憲太郎
金沢工業大学
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高橋 光恵
(独)産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
(独)産業技術総合研究所
-
大橋 憲太郎
金沢工大
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高橋 光恵
独立行政法人 産業技術総合研究所
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酒井 滋樹
独立行政法人 産業技術総合研究所
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Zhang Xizhen
産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門
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竹内 健
東京大学:(現)中央大学
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竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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酒井 滋樹
産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門
著作論文
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 書換え回数1億回以上,書込み電圧6V以下のFe-NANDフラッシュメモリセルの開発 (マテリアルフォーカス エレナノ 家電の起動時間を高速化,SSDノートパソコンの売上も好調に伴い市場拡大のチャンス到来! 「これから」のフラッシュメモリ--高速化,大容量化にともなうエラーの低減,書き換え寿命UP!)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- Pt/SrBi_2Ta_2O_9/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果
- C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
- データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- エピタキシャルゲート構造を有する強誘電体ゲートFETの試作と電気特性
- 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- HfAlOバッファ層を用いた強誘電体ゲートFETの電気的特性とバッファ層の製膜条件との関係
- データセンター用SSD向け Ferroelectric(Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ
- 0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM
- エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)