竹内 健 | 東京大学電気系工学専攻
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
竹内 健
東京大学電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学
-
宮地 幸祐
東京大学生産技術研究所
-
宮地 幸祐
東京大学
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
本田 健太郎
東京大学電気系工学専攻
-
宮野 信治
半導体理工学研究センター
-
宮地 幸祐
東京大学電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
宮野 信治
東芝
-
田中丸 周平
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
宮野 信治
(株)東芝セミコンダクター社
-
竹内 健
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
酒井 滋樹
産業技術総合研究所
-
高橋 光恵
産業技術総合研究所
-
野田 晋司
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学電気系工学専攻
-
畑中 輝義
東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース
-
本田 健太郎
東京大学
-
畑中 輝義
東京大学
-
洪 慶麟
東京大学電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
-
洪 慶麟
東京大学
著作論文
- 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
- BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- Bulk とSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討