田中丸 周平 | 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コースの論文著者

関連著者

• 田中丸 周平

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 田中丸 周平

  東京大学電気系工学専攻

• 竹内 健

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

• 宮地 幸祐

  東京大学生産技術研究所

• 本田 健太郎

  東京大学電気系工学専攻

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 宮野 信治

  東芝

• 矢島 亮児

  東京大学工学系研究科

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 本田 健太郎

  東京大学

• 宮地 幸祐

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学電気系工学専攻

• 江角 淳

  株式会社シグリード

• 伊東 充吉

  株式会社シグリード

• 李 凱

  株式会社シグリード

• 田中丸 周平

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 田中丸 周平

  東京大学

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 矢島 亮児

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  中央大学理工学部電気電子情報通信工学科

• 柳原 裕貴

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 宮地 幸祐

  東京大学大学院工学系研究科

• 畑中 輝義

  東京大学

• 洪 慶麟

  東京大学

• 柳原 裕貴

  東京大学工学系研究科電気系工専攻

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著作論文

• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (集積回路)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上 (シリコン材料・デバイス)
• しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM (集積回路)
• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去 (集積回路)
• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 0.5V動作, しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加, 32%アクティブ電力削減, 42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM
• 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
• SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
• 招待講演 エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD (集積回路)
• チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (磁気記録・情報ストレージ)
• チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
• エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD(ヘッド・スピントロニクス、一般)

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