竹内 健 | 東京大学

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概要

• 同名の論文著者
• 東京大学の論文著者

関連著者

• 竹内 健

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 田中丸 周平

  東京大学電気系工学専攻

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 畑中 輝義

  東京大学

• 田中丸 周平

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所

• 高橋 光恵

  産業技術総合研究所

• 石田 光一

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学

• 安福 正

  東京大学

• 桜井 貴康

  東大

• 高宮 真

  東京大学

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科

• 高宮 真

  東京大学生産技術研究所

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 宮地 幸祐

  東京大学

• 矢島 亮児

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 矢島 亮児

  東京大学工学系研究科

• 宮地 幸祐

  東京大学生産技術研究所

• 竹内 健

  東京大学電気系工学専攻

• 宮野 信治

  東芝

• 畑中 輝義

  東京大学大学院工学系研究科

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 桜井 貴康

  東京大学工学系研究科生産技術研究所

• 田中丸 周平

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 宮本 晋示

  株式会社東芝

• 中井 弘人

  株式会社東芝

• 本田 健太郎

  東京大学電気系工学専攻

• 野田 晋司

  東京大学電気系工学専攻

• 高宮 真

  東京大学 生産技術研究所

• 本田 健太郎

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科

• 江角 淳

  株式会社シグリード

• 伊東 充吉

  株式会社シグリード

• 李 凱

  株式会社シグリード

• 田中丸 周平

  東京大学

• 野田 晋司

  東京大学工学系研究科

• 細野 浩司

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 畠山 多生

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 矢島 亮児

  東京大学大学院工学系研究科

• 宮地 幸祐

  東京大学電気系工学専攻

• 畑中 輝義

  東京大学電気系工学専攻

• 福田 真由美

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 樋口 和英

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• Fukuda Mayumi

  Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan

• 二山 拓也

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 常盤 直哉

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 進藤 佳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 亀井 輝彦

  サンディスク株式会社

• 岩井 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 姫野 敏彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 櫻井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大島 成夫

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 佐藤 信司

  サンディスク株式会社

• 金澤 一久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• Mofidi Mehrdad

  サンディスク株式会社

• 中村 寛

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 金澤 一久

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 小島 正嗣

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 高宮 真

  東京大学大規模集積システム設計教育研究センター

• 市毛 正之

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 岩井 信

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 竹内 健

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 亀田 靖

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 藤村 進

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 大竹 博之

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 志賀 仁

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 渡辺 慶久

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 二山 拓也

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 進藤 佳彦

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 白川 政信

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 田中 真一

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• Fu Jia-Yi

  サンディスク株式会社

• Cernea Adi

  サンディスク コーポレーション

• Li Yan

  サンディスク コーポレーション

• 東谷 政昭

  サンディスク コーポレーション

• Hemink Gertjan

  サンディスク株式会社

• 大和 田健

  サンディスク株式会社

• Lee Shih-Chung

  サンディスク株式会社

• 林田 直樹

  サンディスク株式会社

• Wan Jun

  サンディスク コーポレーション

• Lutze Jeffrey

  サンディスク コーポレーション

• Tsao Shouchang

  サンディスク コーポレーション

• 櫻井 清史

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 常盤 直哉

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 和気 裕子

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 野沢 安満

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 金澤 一久

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 大島 成夫

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 白田 理一郎

  東芝・セミコンダクター社メモリ事業部

• 清水 和裕

  東芝・セミコンダクター社メモリ事業部

• 今宮 賢一

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 細野 浩司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 今宮 賢一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 杉浦 義久

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 中村 寛

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹内 健

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 池橋 民雄

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 神田 和重

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 白田 理一郎

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 有留 誠一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 清水 和裕

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 畠山 多生

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 作井 康司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 池橋 民雄

  株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部

• 石田 光一

  東京大学生産技術研究所

• 宮地 幸祐

  東京大学大学院工学系研究科

• 堀内 健史

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Wang Shouyu

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• Mofidi Mehrdad

  サンディスク コーポレーション

• 安福 正

  東京大学生産技術研究所

• 桜井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 金澤 一久

  サンディスク株式会社

• 姫野 敏彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 有留 誠一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• Zhang Xizhen

  産業技術総合研究所 エレクトロニクス研究部門

• 上口 光

  東京大学

• 鈴木 利一

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 東谷 政昭

  サンディスクコーポレーション

• 洪 慶麟

  東京大学

• 上口 光

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 大和田 健

  サンディスク株式会社

• 神田 和重

  株式会社東芝

• 鈴木 利一

  半導体理工学研究センター

• 酒井 滋樹

  産業技術総合研究所エレクトロニクス研究部門

• 金澤 一久

  株式会社 東芝

• 小島 正嗣

  株式会社 東芝

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著作論文

• データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 三次元SSDの低電力化技術とSSD向けプログラム電圧(20V)生成回路(メモリ技術)
• C-12-20 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その1)(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-21 NAND型フラッシュSSD向け20Vブーストコンバータの制御方式(その2)(C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-33 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるMOSダイオード損失の検討(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
• C-12-32 オンチップ昇圧向けブーストコンバータにおけるインダクタの寄生抵抗の影響(C-12. 集積回路ACD(メモリ・電源・ばらつき),一般セッション)
• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• C-12-5 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(2)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• C-12-4 データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(1)(メモリ技術,C-12.集積回路,一般セッション)
• 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
• 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• データセンター用SSD向けFerroelectric (Fe)-NANDフラッシュメモリと不揮発性ページバッファ(フラッシュメモリ,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン(SNM)増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体FETを使用した6T-SRAM(低電力SRAM/DRAM,メモリ(DRAM, SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 0.5V動作,しきい値電圧自己調整機能による60%スタティック・ノイズ・マージン増加,32%アクティブ電力削減,42%リーク電流削減の強誘電体6T-SRAM(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 単一セル自己昇圧法による10V動作,書き込み速度9.5GB/sec強誘電体NANDフラッシュSSD(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• NANDチャネル数検出回路・インテリジェント書き込み電圧発生回路を備えた、60%高速・4.2Gbps・24チャネル、3次元ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• データセンター用SSD向け、不揮発性ページバッファを搭載したFe-NANDフラッシュメモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 三次元SSD用20Vブーストコンバータ向けのインダクタ設計(若手研究会)
• 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ(SSD)(招待講演,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
• 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• エンタープライズSSD向け低消費電力・高信頼性強誘電体NANDフラッシュメモリ(学生・若手研究会)
• 電子局所注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクト問題の除去(学生・若手研究会)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上
• 不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
• SSD向けエラー訂正手法の比較と符号長の動的最適化手法(学生・若手研究会)
• 浸透してきた半導体ディスク装置
• 浸透してきた半導体ディスク装置
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
• 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム

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