不揮発性RAM及びNANDフラッシュを用いたSSD向け高エラー率補償アーキテクチャとエラー訂正符号(学生・若手研究会)
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概要
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本報告では不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリを統合したSSD(ソリッドステートドライブ)用の適応的誤り訂正符号(ECC)を提案する.このSSDにおいてRRAM(抵抗変化型RAM)やPRAM(相変化型RAM),MRAM(磁気抵抗型RAM)などの高速な不揮発性RAMを書き込みバッファとして使用する.不揮発性RAMはNANDフラッシュメモリとSSD用のインターフェースにおける転送速度の差を補償する.不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリにおいて発生した誤りは効率的に誤り訂正回路で補償される.また,不揮発性RAMを書き込みバッファに使うことで10Gbpsの転送速度を実現し,且っ消費電力を抑える手法を示す.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2010-12-09
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
福田 真由美
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
-
Fukuda Mayumi
Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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