コードワード可変ECCを用いた不揮発性RAMとNAND型フラッシュメモリ統合ソリッドステートドライブ : 3.6倍ビットエラーレート許容,かつ97%消費電力削減可能なソリッドステートドライブの提案(システム,集積回路とアーキテクチャの協創〜3次元集積回路技術とアーキテクチャ〜)
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概要
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本稿では,大容量な高速不揮発性RAMをNANDフラッシュメモリへの書き込みバッファとして使用するSSD(ソリッドステートドライブ)において,ReRAM(抵抗変化型RAM)やPRAM(相変化型RAM)やMRAM(磁気抵抗型RAM)などの高密度化が見込める高速不揮発性RAMとNANDフラッシュメモリ双方のエラーを効率よく訂正し,3.6倍のビットエラーレートを許容可能とするECC手法を提案する.また,大容量高速不揮発性RAMを書き込みバッファとして使用することで,NANDフラッシュメモリとSSDインタフェース転送速度の差を補間し且つ既存のSSDインタフェース高速化手法に比べ97%消費電力を抑える手法を示す.
- 2011-01-13
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学
-
田中丸 周平
東京大学電気系工学専攻
-
福田 真由美
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
田中丸 周平
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
-
Fukuda Mayumi
Department of Electrical Engineering and Information Systems, Graduate School of Engineering, The University of Tokyo, 7-3-1 Hongo, Bunkyo, Tokyo 113-8656, Japan
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