50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
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概要
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- 2011-12-08
著者
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
-
宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科
-
樋口 和英
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
上口 光
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
宮地 幸祐
東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻
-
竹内 健
東京大学:(現)中央大学
-
竹内 健
東京大学大学院工学系研究科
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