竹内 健 | (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

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概要

• 同名の論文著者
• (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所の論文著者

関連著者

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

• 竹内 健

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 田中丸 周平

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 田中丸 周平

  東京大学電気系工学専攻

• 宮地 幸祐

  東京大学

• 田中 智晴

  (株)東芝 メモリ事業部

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 中村 寛

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 竹内 健

  東京大学工学系研究科

• 宮野 信治

  半導体理工学研究センター

• 宮野 信治

  (株)東芝セミコンダクター社

• 丹沢 徹

  (株)東芝セミコンダクタ社

• 丹沢 徹

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹内 健

  東京大学電気系工学専攻

• 中村 寛

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 上口 光

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 宮野 信治

  東芝

• 宮地 幸祐

  東京大学生産技術研究所

• 本田 健太郎

  東京大学電気系工学専攻

• 本田 健太郎

  東京大学

• 畑中 輝義

  東京大学

• 竹内 健

  中央大学理工学部電気電子情報通信工学科

• 上口 光

  中央大学

• 宮地 幸祐

  中央大学

• 竹内 健

  中央大学

• 細野 浩司

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 畠山 多生

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 樋口 和英

  東京大学先端科学技術研究センター

• 宮地 幸祐

  東京大学大学院工学系研究科

• 江角 淳

  株式会社シグリード

• 伊東 充吉

  株式会社シグリード

• 李 凱

  株式会社シグリード

• 畑中 輝義

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 樋口 和英

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 田中丸 周平

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 上口 光

  東京大学

• 洪 慶麟

  東京大学

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科

• 田中丸 周平

  東京大学

• 柳原 裕貴

  東京大学工学系研究科電気系工学専攻融合情報コース

• 樋口 和英

  東京大学

• 二山 拓也

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 常盤 直哉

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 進藤 佳彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 亀井 輝彦

  サンディスク株式会社

• 岩井 信

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 姫野 敏彦

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 櫻井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 大島 成夫

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 石田 光一

  東京大学

• 高宮 真

  東京大学

• 桜井 貴康

  東京大学

• 佐藤 信司

  サンディスク株式会社

• 金澤 一久

  株式会社東芝セミコンダクター社

• Mofidi Mehrdad

  サンディスク株式会社

• 金澤 一久

  (株)東芝 半導体システム技術センター大船分室

• 小島 正嗣

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 桜井 貴康

  東京大学生産技術研究所

• 高宮 真

  東京大学生産技術研究所

• 市毛 正之

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 岩井 信

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 竹内 健

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 亀田 靖

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 藤村 進

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 大竹 博之

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 志賀 仁

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 渡辺 慶久

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 二山 拓也

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 進藤 佳彦

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 白川 政信

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 田中 真一

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• Fu Jia-Yi

  サンディスク株式会社

• Cernea Adi

  サンディスク コーポレーション

• Li Yan

  サンディスク コーポレーション

• 東谷 政昭

  サンディスク コーポレーション

• Hemink Gertjan

  サンディスク株式会社

• 大和 田健

  サンディスク株式会社

• Lee Shih-Chung

  サンディスク株式会社

• 林田 直樹

  サンディスク株式会社

• Wan Jun

  サンディスク コーポレーション

• Lutze Jeffrey

  サンディスク コーポレーション

• Tsao Shouchang

  サンディスク コーポレーション

• 櫻井 清史

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 常盤 直哉

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 和気 裕子

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 野沢 安満

  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社

• 金澤 一久

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 大島 成夫

  株式会社 東芝 セミコンダクター社

• 白田 理一郎

  東芝・セミコンダクター社メモリ事業部

• 清水 和裕

  東芝・セミコンダクター社メモリ事業部

• 今宮 賢一

  (株)東芝セミコンダクター社メモリ事業部先端メモリ開発センター

• 細野 浩司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 今宮 賢一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 杉浦 義久

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 中村 寛

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 竹内 健

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 池橋 民雄

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 神田 和重

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 白田 理一郎

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 有留 誠一

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 清水 和裕

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 畠山 多生

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 作井 康司

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 安福 正

  東京大学

• 池橋 民雄

  株式会社東芝セミコンダクター社メモリ事業部

• 植村 あい子

  早稲田大学大学院基幹理工学研究科

• 畑中 輝義

  東京大学大学院工学系研究科

• 宮地 幸祐

  東京大学電気系工学専攻

• Mofidi Mehrdad

  サンディスク コーポレーション

• 桜井 貴康

  東大

• 桜井 清史

  株式会社東芝セミコンダクター社

• 金澤 一久

  サンディスク株式会社

• 姫野 敏彦

  株式会社東芝 セミコンダクター社 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 有留 誠一

  (株)東芝マイクロエレクトロニクス研究所

• 桜井 貴康

  東京大学工学系研究科生産技術研究所

• 竹内 健

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻:東京大学工学部電気電子工学科

• 竹内 健

  早稲田大学

• 鈴木 利一

  (株)半導体理工学研究センター極低電力研究開発部

• 東谷 政昭

  サンディスクコーポレーション

• 植村 あい子

  早稲田大学 大学院基幹理工学研究科 情報理工学専攻

• 洪 慶麟

  東京大学電気系工学専攻

• 大和田 健

  サンディスク株式会社

• 神田 和重

  株式会社東芝

• 宮地 幸祐

  東京大学大学院工学系研究科電気系工学専攻

• 鈴木 利一

  半導体理工学研究センター

• 柳原 裕貴

  東京大学工学系研究科電気系工専攻

• 蜂谷 尚悟

  中央大学

• 藤井 裕大

  東京大学

• 孫 超

  東京大学

• 金澤 一久

  株式会社 東芝

• 小島 正嗣

  株式会社 東芝

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著作論文

• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 99mm^2,10MB/secを実現する56nm 8Gb多値NANDフラッシュメモリ(新メモリ技術とシステムLSI)
• STIプロセス技術を用いた130mm^2 256Mbit NAND型 Flash EEPROM
• 作製後の電子局在注入による非対称パスゲートトランジスタ及びしきい値電圧ばらつき自己修復機能を有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し安定性の向上(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
• 0.5V動作DRAM用60pJ,立ち上がり時間3クロック,しきい値電圧ロス補償ワード線昇圧回路(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 高信頼性SSD向けECC符号長の動的最適化手法(SSD,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• プロセス工程後の局所的電子注入による非対称パスゲートトランジスタを有する6トランジスタ型SRAMとその読み出し時安定性の向上(高信頼技術,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
• 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
• 単一 1.8V電源NAND型フラッシュメモリの回路設計
• NAND型フラッシュメモリの多値化の検討
• 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
• 高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
• フラッシュメモリーの現状と今後の展望
• 高信頼・低電力SSD : メモリコントローラによるデータ変調信号処理技術による高信頼化と低電力化(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 高速・低消費電力3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け書き込み電圧(20V)発生回路とTSVの検討(3次元メモリ・インタフェース,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 局所電子注入による非対称パスゲートトランジスタを用いた8T-SRAMにおけるハーフセレクトディスターブの抑制(SRAM,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 浸透してきた半導体ディスク装置
• ReRAM搭載のSSDを提案 性能11倍、電力93%減へ (SSDをさらに高速・低電力に 新型メモリを組み合わせる)
• 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速V_(10V)生成、15%低消費電力V_(20V)生成、ワイドレンジ電圧生成システム(ポスター講演,ポスターセッション,学生・若手技術者育成のための研究会)
• BulkとSOI NANDフラッシュメモリセルにおける短チャネル効果とチャネル昇圧リークの微細化限界の検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• チュートリアル招待講演 SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD (マルチメディアストレージ)
• 高速,低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• 3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向け4倍高速、15%低消費電力V_(10V)、V_(20V)生成電源システム(依頼講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• エラー予測LDPCとエラー回復機構により10倍の長寿命,エラーを76%削減したSSD(招待講演,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• ICASSP2012参加報告
• 50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究
• SSD向けメモリーコントローラ技術
• SSDの現状と将来動向 : エラーを76%削減したSSD(ヘッド・スピントロニクス、一般)
• 3次元実装ReRAM/MLCNANDハイブリッドSSDにおける、データマネジメント手法の提案と性能評価(次世代メモリシステム,集積回路とアーキテクチャの協創〜新しいアプリケーション創造に向けたアーキテクチャ、回路技術の貢献〜)
• MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
• SCM及びMLC NANDフラッシュメモリを用いたハイブリッドSSDと断片化防止アルゴリズムによる性能向上(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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