MLC相変化メモリとNANDフラッシュメモリを用いた三次元ハイブリッドSSDのための正負温度係数を有する読み出し参照源(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)

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概要

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• MLCの相変化メモリ(PCM)とNANDフラッシュメモリを用いた三次元実装ハイブリッドSSD向けの読み出し参照源回路を提案する.提案参照源回路はPCMとNANDフラッシュそれぞれの温度特性の再現のため,正・負両温度係数を出力可能である.0.18μm標準CMOSプロセスを用いて提案回路の実装を行い,-5.47mV/Kから5.74mV/Kまで温度係数の変調を確認した.また,温度係数とは独立に出力レベルが変調できるため,メモリ素子特性のばらつきにも対応可能である.

• 一般社団法人電子情報通信学会の論文
• 2013-04-04

著者

• 竹内 健

  (株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所

• 樋口 和英

  東京大学先端科学技術研究センター

• 竹内 健

  東京大学:(現)中央大学

• 上口 光

  中央大学

• 宮地 幸祐

  中央大学

• 竹内 健

  中央大学

• 樋口 和英

  東京大学

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