3次元積層ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッドソリッド・ステート・ドライブ向けV_<SET/RESET>(3V)、V_<PGM>(20V)生成回路の設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
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概要
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ReRAM/NANDフラッシュメモリハイブリッド3次元積層ソリッド・ステート・ドライブ向けの書き込み電圧生成回路を提案する。本回路は1つのスパイラルインダクタを用い2出力のブーストコンバータを構成し、ReRAM向け書き込み電圧V_<SET/RESET>(3V)と、NANDフラッシュメモリ向け書き込み電圧V_<PGM>(20V)を同時に昇圧し、同時に出力する。従来技術ではインダクタ面積の増加および昇圧時間の増大が問題となる。本提案は、2つのインダクタを用いた従来型ブーストコンバータと比較し電力増加や性能低下を招くことなく、インダクタ面積を15%削減できる。ブーストコンバータに寄与するインダクタンス設計によりブーストコンバータ間の干渉を抑制し、V_<SET/RESET>とV_<PGM>の同時昇圧、同時出力を実現した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-04-04
著者
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