高速書込みを実現する新多値メモリセル方式
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概要
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チップサイズの増加なしに書込み速度を高速化する新多値メモリセル方式を提案する. 新方式では4値メモリセルに記憶される2ビットを上位ページ, 下位ページに割り当てる. 上位ページと下位ページは独立に選択され, 異なる動作で書込まれる. 本方式では書込みパルスの数が減少し, 更にべリファイリード時間も短縮するため高速な書込みを実現できる. 本方式の4値メモリセルの書込み時間は236us/512byte (2.2Mbyte/sec)であり, 従来提案されている4値セルよりも2.3倍書込みを高速化できる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-07-24
著者
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