フラッシュメモリの安定な書込みパルス発生回路の設計
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概要
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安定な書込みパルス発生回路を提案設計した。提案した遅延回路は電源電圧が20%変動しても書込みパルス幅を1%以内に制御することができる。さらに、提案したオシレータは最遅条件において書込み電圧の昇圧時間を従来に比べ36%低減する。結果として、提案した書込みパルス発生回路によって従来に比べ22%高速に書込みが実現できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-22
著者
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田中 智晴
株式会社東芝研究開発センター、ULSI研究所
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田中 智晴
(株)東芝 メモリ事業部
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丹沢 徹
(株)東芝 マイクロエレクトロニクス技術研究所
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丹沢 徹
株式会社東芝 研究開発センター ULSI研究所
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